Kalibrointikiekko standardi

Kalibrointikiekkostandardi polystyreenimikropallohiukkasilla

PYYDÄ TARJOUS
Applied Physics tarjoaa kalibrointikiekkostandardeja, joissa käytetään hiukkaskokostandardeja KLA-Tencor Surfscan SP1:n, KLA-Tencor Surfscan SP2:n, KLA-Tencor Surfscan SP3:n, KLA-Tencor Surfscan SP5:n, KLA-Tencor Surfscan 5scan SP6420x Surfscan 6220s6200s, KLA-Tencor Surfscan 2300s1s, KLA-Tencor Surfscan SP100:n, , Surfscan 125, ADE, Hitachi ja Topcon SSIS työkalut ja kiekkojen tarkastusjärjestelmät. 150 XP200 hiukkaspinnoitusjärjestelmämme voi kerrostaa 300 mm, XNUMX mm, XNUMX mm, XNUMX mm ja XNUMX mm piikiekkoja käyttämällä NIST Traceable-, PSL Spheres (polystyreenilateksihiukkaskokostandardit) ja piidioksidihiukkaskokostandardeja.

Semiconductor Metrology Managerit käyttävät näitä PSL-kalibrointikiekkostandardeja KLA-Tencorin, Topconin, ADE:n ja Hitachin valmistamien Scanning Surface Inspection Systems (SSIS) -kokovastekäyrien kalibroimiseen. PSL-kiekkostandardeja käytetään myös arvioimaan, kuinka yhtenäisesti Tencor Surfscan -työkalu skannaa pii- tai kalvopinnoitetun kiekon poikki.

Kalibrointikiekko standardia käytetään tarkistamaan ja hallitsemaan SSIS-työkalun kahta eritelmää: koon tarkkuus tietyillä hiukkaskokoilla ja skannauksen tasaisuus kiekon läpi kunkin skannauksen aikana. Kalibrointikiekko toimitetaan useimmiten täydellisenä laskeumana yhdessä hiukkaskoossa, tyypillisesti välillä 50nm ja 12 mikronia. Tallentamalla kiekon yli, toisin sanoen täydellisen kerrostuman, kiekkojen tarkistusjärjestelmä avautuu hiukkaspiikkiin, ja käyttäjä voi helposti selvittää, onko SSIS-työkalu määritelty tässä koossa. Esimerkiksi, jos kiekkostandardi on 100nm, ja SSIS-työkalu skannaa piikin 95nm tai 105nm, silloin SSIS-työkalu ei ole kalibroitu ja se voidaan kalibroida käyttämällä 100nm PSL Wafer Standardia. Skannaus kiekkostandardin läpi, kertoo myös teknikolle, kuinka hyvin SSIS-työkalu havaitsee PSL-kiekkostandardin läpi etsien hiukkasten havaitsemisen samankaltaisuutta tasaisesti talletetun kiekkostandardin välillä. Kiekkostandardin pinta kerrostetaan tietyn PSL-koon kanssa, joten mitään kiekon osaa ei ole talletettu PSL-palloille. PSL-kiekkostandardin skannauksen aikana kiekon koko skannauksen yhtenäisyyden pitäisi osoittaa, että SSIS-työkalu ei ole katselematta kiekkon tiettyjä alueita skannauksen aikana. Laskentatarkkuus täysimittaisella kiekolla on subjektiivinen, koska kahden eri SSIS-työkalun (kerrostussivusto ja asiakassivusto) laskentatehokkuus on erilainen, joskus jopa 50 prosenttia. Siten sama hiukkasten vahvistinstandardi, joka on talletettu erittäin tarkalla 204nm-kokohuipulla 2500-laskelmissa ja laskettu SSIS-työkalulla 1, voidaan skannata SSIS 2 -sivustolla ja saman 204nm-piikin määrä voidaan laskea missä tahansa 1500-määrien välillä. 3000-määrään. Tämä kahden SSIS-työkalun välinen laskentaero johtuu kummankin kahdessa erillisessä SSIS-työkalussa toimivan PMT: n (photo Multiplier Tube) lasertehokkuudesta. Laskentatarkkuus kahden erilaisen kiekkojen tarkistusjärjestelmän välillä on yleensä erilainen johtuen kahden kiekkojen tarkistusjärjestelmän laseritehoeroista ja lasersäteen voimakkuudesta.

Kalibrointi Wafer Standard, Full Deposition, 5um - kalibrointi Wafer Standard, Spot Deposition, 100nm

PSL-kalibrointikiekkostandardeissa on kahden tyyppisiä kerrostumia: edellä esitetyt täys- ja täpläkerros.

Joko polystyreenilateksihelmiä (PSL-pallot) tai piidioksidinanohiukkasia voidaan kerrostaa.

PSL-vohvelistandardeja, joissa on pistemittaus, käytetään SSIS-työkalun kokotarkkuuden kalibrointiin yhdellä tai useammalla kokohuipulla.

Kalibrointikiekkostandardilla, jossa on pistepinnoitus, on se etu, että kiekolle kerrostettu PSL-pallojen täplä on selvästi näkyvissä täplänä, ja jäljellä oleva kiekkopinta täpläkerroksen ympärillä on jätetty vapaaksi PSL-palloista. Etuna on, että ajan mittaan voidaan havaita, milloin kalibrointikiekkostandardi on liian likainen käytettäväksi koon vertailustandardina. Spot Deposition pakottaa kaikki halutut PSL-pallot kiekon pinnalle kontrolloidussa paikassa; Tuloksena on siis hyvin vähän PSL-palloja ja parantunut laskentatarkkuus. Applied Physics käyttää mallia 2300XP1 käyttämällä DMA-tekniikkaa (Differential Mobility Analyzer) varmistaakseen, että NIST-jäljitettävä PSL-koon talletettu huippu on tarkka ja viitataan NSIT-kokostandardeihin. CPC:tä käytetään laskennan tarkkuuden säätelyyn. DMA on suunniteltu poistamaan ei-toivotut hiukkaset, kuten Doublets ja Triplets, hiukkasvirrasta. DMA on myös suunniteltu poistamaan ei-toivotut hiukkaset hiukkashuipun vasemmalla ja oikealla puolella; Näin varmistetaan monodispergoitujen hiukkasten piikin kerrostuminen kiekon pinnalle. Kerrostaminen ilman DMA-tekniikkaa mahdollistaa ei-toivottujen duplettien, triplettien ja taustahiukkasten kerrostumisen kiekon pinnalle sekä halutun hiukkaskoon.

Tekniikan tuottaa PSL kalibrointi Wafer Standards
PSL Wafer Standardit tuotetaan yleensä kahdella tavalla: suora laskeumat ja DMA Controlled laskeumat.

Applied Physics pystyy käyttämään sekä DMA-pinnoitusohjausta että Direct Deposition -ohjausta. DMA-ohjaus tarjoaa suurimman koon tarkkuuden alle 150 nm:ssä tarjoamalla erittäin kapeat kokojakaumat minimaalisella sameudella, dupletilla ja tripletillä taustalla. Tarjolla on myös erinomainen laskentatarkkuus. PSL Direct Deposition tarjoaa hyvät kerrostukset 150 nm:stä 5 mikroniin asti.

Suora laskeuma

Suorapäästömenetelmässä käytetään monodispersistä polystyreenilateksipallolähdettä tai monodispersistä piidioksidi-nanohiukkaslähdettä, joka laimennetaan sopivaan konsentraatioon, sekoitetaan erittäin suodatetun ilmavirtauksen tai kuivatyppivirtauksen kanssa ja kerrostetaan tasaisesti piikiekon tai tyhjän valokuomaskin päälle täydellisenä laskeumana. tai pistepinnoitus. Suora laskeuma on halvempaa, mutta koon tarkkuuden suhteen vähemmän tarkka. Sitä käytetään parhaiten PSL-koon kerrostumissa 1 mikronista 12 mikroniin.

Jos verrataan useita samankokoisia polystyreenilateksipalloja tuottavia yrityksiä, esimerkiksi 204 nm: llä, voidaan mitata jopa 3-prosenttinen ero yritysten kahden PSL-laskeuman piikkikoossa. Valmistusmenetelmät, mittauslaitteet ja mittaustekniikat aiheuttavat tämän delta. Tämä tarkoittaa, että kun kerrostetaan polystyreenilateksipalloja "suoran kerrostumisena" pullolähteestä, kerrostettua kokoa ei analysoida differentiaalisen liikkuvuuden analysaattorilla, ja tulos on mikä tahansa kokovaihtelu, joka on polystyreenilateksipallopullon lähteessä. DMA pystyy eristämään hyvin erityisen kokohuipun

Differential Mobility Analyzer, DMA hiukkaskerrostustehokkuuden

Toinen ja paljon tarkempi menetelmä on DMA (Differential Mobility Analyzer) laskeutumisen hallinta. DMA-ohjaus mahdollistaa avainparametrien, kuten ilmavirran, ilmanpaineen ja DMA-jännitteen, hallinnan joko manuaalisesti tai automatisoidun reseptiohjauksen avulla kerättävien PSL-pallojen ja piidioksidihiukkasten kautta. DMA on kalibroitu NIST-standardeihin 60 nm: ssä, 102 nm: ssä, 269 nm: ssä ja 895 nm: ssä. PSL-pallot ja piidioksidipartikkelit laimennetaan DI-vedellä haluttuun konsentraatioon, sumutetaan sitten aerosoliksi ja sekoitetaan kuivaan ilmaan tai kuivaan typpeen kunkin pallon tai hiukkasen ympäröivän DI-veden haihduttamiseksi. Oikealla oleva lohkokaavio kuvaa prosessia. Sitten aerosolivirta neutraloidaan varauksen kanssa kaksinkertaisten ja kolminkertaisten varausten poistamiseksi hiukkasten ilmavirrasta. Hiukkasvirta johdetaan sitten DMA: lle käyttämällä erittäin tarkkaa ilmavirtauksen ohjausta käyttämällä massavirtauksen ohjaimia; ja jännitteen hallinta erittäin tarkkojen virtalähteiden avulla. DMA eristää halutun hiukkashuipun ilmavirrasta samalla poistaen myös ei-toivotut taustapartikkelit halutun kokoisen piikin vasemmalla ja oikealla puolella. DMA tarjoaa kapean partikkelikokohuipun halutulla tarkalla koossa NIST-koon kalibroinnin perusteella; joka sitten johdetaan kiekon pinnalle laskeutumista varten. Haluttu hiukkashuippu on tyypillisesti 3 prosenttia tai vähemmän jakeluleveydessä, se on kerrostettu tasaisesti kiekon poikki FULL-kerrostuksena tai kerrostettu pieneen pyöreään kohtaan missä tahansa pisteessä kiekon ympärillä, jota kutsutaan SPOT-kerrostumaksi. Hiukkasten määrää tarkkaillaan samanaikaisesti kiekon määrää kiekon pinnalla. DMA-kalibrointi NIST-jäljitettäviä kokovaatimuksia käyttämällä varmistaa, että kokohuippu on kooltaan erittäin tarkka; ja kapea tarjoamaan loistava hiukkaskokokokalibrointi KLA-Tencor SP1: lle ja KLA-Tencor SP2: lle, SP3: lle, SP5: lle tai SP5xp-kiekkojen tarkistusjärjestelmälle.

Jos 204nm PSL Kuulat kahden eri valmistajan käytettiin DMA hallinnassa, Particle Deposition System, DMA olisi eristää täsmälleen sama koko huippu näiden kahden eri PSL pulloa, niin että tarkka 204nm olisi kerrostaa kiekon pinnalla.

DMA-ohjattu hiukkasten keräysjärjestelmä pystyy tarjoamaan paljon paremman laskutarkkuuden, samoin kuin tietokoneohjeiden hallinnan koko kerrostumiselle. Lisäksi DMA-pohjainen järjestelmä voi tallettaa piidioksidin nanopartikkeleita välillä 50 nm - 2 mikronia piidioksidipartikkelien halkaisijaan.

Kalibrointikiekon standardi – Pyydä tarjous
PSL-kalibrointikiekon standardi alkaen Applied Physics Inc.PSL-kalibrointikiekon standardi alkaen Applied Physics Inc.